CSD17301Q5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17576Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 181 QG (typ) (nC) 19 QGD (typ) (nC) 4.3 QGS (typ) (nC) 5.7 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 181 QG (typ) (nC) 19 QGD (typ) (nC) 4.3 QGS (typ) (nC) 5.7 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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技术文档

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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD17301Q5A Unencrypted PSpice Model

SLPM346.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

TIDA-00782 — 采用 DLP® 技术的便携式、高亮度 HD 投影显示器参考设计

此参考设计采用 DLP Pico™ 0.45 英寸 WXGA 显示芯片组,可以为投影显示应用(配件投影仪、智能投影仪、移动智能电视以及例如类似于笔记本电脑、膝上型电脑和热点内的投影功能的内置投影仪)使用高清分辨率。设计中使用的芯片组包含 DLP4501 (.45 WXGA) DMD 和 DLPC6401 显示控制器。可以在以下链接下面访问该外部 LED 驱动器参考设计:PMP4356
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP4428 — 面向工业应用的薄型 18-40Vin 隔离式 5V/6A 电源参考设计

此 5V/6A 解决方案实现高效有源钳位控制器 LM5025A 和自驱动同步整流器。输入电压为 18V-40V,符合典型的工业要求,输入电压为 24V 时的全载效率为 89.5%。变压器嵌入到 PCB 中,因此可以满足 8mm 高度要求。该设计适用于高度受限的工业应用。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP8670 — 具有成本效益的降压转换器,针对 12V 总线提供内核电压

此降压转换器可从 12V 总线为 FPGA、ASIC 或处理器内核提供 12Amps 连续电流。DCAP2 控制带来了出色的动态性能,超快的瞬态响应 - 非常适合低电压介质电源内核。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP5364 — 36V-72V 输入 5V/20A 95% 效率有源钳位正向;1/4 砖型

PMP5364 参考设计可通过标准 48V 电信输入提供 5V@20A (100W) 的电源,效率高达 95%。此设计使用 UCC2897A 有源钳位控制器以及 TI NexFET 同步整流器。CSD17301Q5A 的低导通电阻可降低同步整流器的传导损耗和裸片面积。该电路内置于行业标准的 1/4 砖型封装内。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSONP (DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频