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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 19 QGD typ (nC) 4.3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 30V, N-Channel NexFet Power MOSFETs 数据表 2010年 9月 14日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明
The Texas Instruments TPS2592AAEVM-531 evaluation module (EVM) is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS2592 eFuse with Integrated Blocking FET Driver. The EVM contains input and output connectors as well as control jumpers to ease evaluation of device features.
特性
  • 4.5V-13.0V (TYP) Bus Operation (TPS2592Ax)
  • 4.5V-5.0V (TYP) Bus Operation (TPS2592Bx)
  • External Blocking FET
  • Programmable current limit
  • External Blocking FET
  • Fixed Over Voltage setting
  • Programmable Vout Slew Rate
  • Programmable UVLO
  • Built-in Thermal Shutdown
  • Latched-off TPS2592AL, TPS2592BL
  • Auto-Retry TPS2592AA (...)
评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明
The Texas Instruments TPS2592BLEVM-531 evaluation module (EVM) is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS2592 eFuse with Integrated Blocking FET Driver. The EVM contains input and output connectors as well as control jumpers to ease evaluation of device features.
特性
  • 4.5V-13.0V (TYP) Bus Operation (TPS2592Ax)
  • 4.5V-5.0V (TYP) Bus Operation (TPS2592Bx)
  • External Blocking FET
  • Programmable current limit
  • External Blocking FET
  • Fixed Over Voltage setting
  • Programmable Vout Slew Rate
  • Programmable UVLO
  • Built-in Thermal Shutdown
  • Latched-off TPS2592AL, TPS2592BL
  • Auto-Retry TPS2592AA (...)

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM346.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

参考设计 下载
采用 DLP® 技术的便携式、高亮度 HD 投影显示器参考设计
TIDA-00782 此参考设计采用 DLP Pico™ 0.45 英寸 WXGA 显示芯片组,可以为投影显示应用(配件投影仪、智能投影仪、移动智能电视以及例如类似于笔记本电脑、膝上型电脑和热点内的投影功能的内置投影仪)使用高清分辨率。设计中使用的芯片组包含 DLP4501 (.45 WXGA) DMD 和 DLPC6401 显示控制器。可以在以下链接下面访问该外部 LED 驱动器参考设计:PMP4356
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
面向工业应用的薄型 18-40Vin 隔离式 5V/6A 电源参考设计
PMP4428 此 5V/6A 解决方案实现高效有源钳位控制器 LM5025A 和自驱动同步整流器。输入电压为 18V-40V,符合典型的工业要求,输入电压为 24V 时的全载效率为 89.5%。变压器嵌入到 PCB 中,因此可以满足 8mm 高度要求。该设计适用于高度受限的工业应用。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
具有成本效益的降压转换器,针对 12V 总线提供内核电压
PMP8670 此降压转换器可从 12V 总线为 FPGA、ASIC 或处理器内核提供 12Amps 连续电流。DCAP2 控制带来了出色的动态性能,超快的瞬态响应 - 非常适合低电压介质电源内核。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
36V-72V 输入 5V/20A 95% 效率有源钳位正向;1/4 砖型
PMP5364 — PMP5364 参考设计可通过标准 48V 电信输入提供 5V@20A (100W) 的电源,效率高达 95%。此设计使用 UCC2897A 有源钳位控制器以及 TI NexFET 同步整流器。CSD17301Q5A 的低导通电阻可降低同步整流器的传导损耗和裸片面积。该电路内置于行业标准的 1/4 砖型封装内。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
36Vdc-75Vdc 输入、5V @ 25A 输出、效率高达 94% 的有源钳位正向
PMP5753 — PMP5753 参考设计可通过标准 48V 电信输入,在 125W 时提供 5V 的电源,效率达 94% 以上。本设计使用附带自驱动、同步整流器的 UCC2897A 有源钳位控制器。德州仪器 (TI) NexFET 技术用于同步整流器,较传统 MOSFET 技术提高了近 2% 的效率。输出电压可调整高达 7V。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 视图选项

订购与质量

支持与培训

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