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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 19 QGD typ (nC) 4.3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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CSD17576Q5B 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm This product has similar resistance and a lower price.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM346.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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