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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 29 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 24 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 39 QG typ (nC) 2.4 QGD typ (nC) 0.6 QGS typ (nC) 0.9 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 7.6 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 29 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 24 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 39 QG typ (nC) 2.4 QGD typ (nC) 0.6 QGS typ (nC) 0.9 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 7.6 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

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  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

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这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。

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设计和开发

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开发套件

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BOOSTXL-ULN2003 是一款 2A 步进电机驱动器套件,具有 TI 的 ULN2003A 双极晶体管阵列和 CSD1751Q2 NexFET™ 的特性。此 BoosterPack™ 包含驱动最多 2 个步进电机或 8 个通道所需的一切资源,具有最高 30V 电压并支持串行和并行接口。此设计具有 SN74HC595 移位寄存器的特性,可实现串行通信,从而减少所采用的 GPIO 数量。此板载开关还可具有并行接口,可直接控制电机 1 或电机 2 的每个通道。BOOSTXL-ULN2003 (...)

用户指南: PDF
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

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  • 认证摘要
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