CSD17571Q2

Name: CSD17571Q2
Brand: TI
SKU: CSD17571Q2
Price: 0.09 USD

正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购

数据表

CSD17571Q2

正在供货

数据表

立即订购

产品详情

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

IDM - pulsed drain current (max) (A)

QG (typ) (nC)

2.4

QGD (typ) (nC)

0.6

QGS (typ) (nC)

0.9

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.6

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

7.6

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

IDM - pulsed drain current (max) (A)

QG (typ) (nC)

2.4

QGD (typ) (nC)

0.6

QGS (typ) (nC)

0.9

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.6

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

7.6

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

WSON (DQK)

4 mm² 2 x 2

低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持设备
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持设备
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。

open-in-new

查找其他 N 沟道 MOSFET

下载观看带字幕的视频视频

技术文档

star

=有关此产品的 TI 精选热门文档

未找到结果。请清除搜索，并重试。

查看全部 12

	类型	项目标题		下载最新的英语版本		日期
*	数据表	CSD17571Q2 30V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML	下载英文版本 (Rev.A)	PDF \| HTML	2015年 7月 21日
	应用手册	MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B)	PDF \| HTML	下载英文版本 (Rev.B)	PDF \| HTML	2023年 4月 13日
	应用手册	在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线	PDF \| HTML	下载英文版本	PDF \| HTML	2023年 3月 15日
	应用手册	Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs	PDF \| HTML			2022年 5月 31日
	技术文章	Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs				2019年 2月 8日
	应用手册	QFN and SON PCB Attachment (Rev. B)	PDF \| HTML			2018年 8月 24日
	技术文章	USB Type-C™ power: Should your next device have USB Type-C?				2017年 2月 14日
	技术文章	How to create a dynamic power solution for stepper motors, relays and LEDs				2016年 11月 1日
	应用手册	Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C)	PDF \| HTML			2016年 4月 19日
	用户指南	BOOSTXL-ULN2003 Dual Stepper Motor Driver BoosterPack Hardware				2016年 4月 12日
	技术文章	When to use load switches in place of discrete MOSFETs				2016年 2月 3日
	应用手册	关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法		下载英文版本		2015年 5月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

开发套件

BOOSTXL-ULN2003 — 具有 ULN2003 和 CSD17571Q2 NexFET 的双步进电机驱动器 BoosterPack

BOOSTXL-ULN2003 是一款 2A 步进电机驱动器套件，具有 TI 的 ULN2003A 双极晶体管阵列和 CSD1751Q2 NexFET™ 的特性。此 BoosterPack™ 包含驱动最多 2 个步进电机或 8 个通道所需的一切资源，具有最高 30V 电压并支持串行和并行接口。此设计具有 SN74HC595 移位寄存器的特性，可实现串行通信，从而减少所采用的 GPIO 数量。此板载开关还可具有并行接口，可直接控制电机 1 或电机 2 的每个通道。BOOSTXL-ULN2003 (...)

用户指南: PDF