12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm
产品详细信息
参数
封装|引脚|尺寸
特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小型封装尺寸 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
描述
此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。
在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |
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| * | 数据表 | N 通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)_ 数据表 | 下载最新的英文版本 (Rev.A) | 2012年 9月 5日 |
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设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM173A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
MOSFET-LOSS-CALC — MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
参考设计
TIDA-01236 — 该参考设计展示了一款可以通过分析特定信号的超声波频谱检测气体泄漏情况的低功耗无线传感器。此系统由单节以锂为主要成分的纽扣电池供电，可与基站进行无线通信，无线路要求，实现了轻松安装。此设计包含超低功耗电量监测，可精确预测电池健康状况，并可进行寿命末期预先通知，以便安排电池更换。
设计文件
-
download TIDA-01236 BOM.pdf (67KB) -
download TIDA-01236 Assembly Drawing.pdf (198KB) -
download TIDA-01236 PCB.pdf (1267KB) -
download TIDA-01236 CAD Files.zip (704KB) -
download TIDA-01236 Gerber.zip (565KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZB) | 4 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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