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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 2.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.6 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 108 QGD typ (nC) 14 Package (mm) D2PAK VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 349 ID, package limited (A) 200 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

TO-263 (KTT) 3 155 mm² 10.16 x 15.24 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 兼容 USB Type-C 版本 1.2 的下行数据端口 (DFP) 控制器
  • 连接器连接或断开检测
  • 配置通道 (CC) STD、1.5A、3A 电流能力通告
  • 超高速极性确定
  • VBUS 应用和放电
  • VCONN 应用于电子标记电缆
  • 音频和调试附件识别
  • 端口未连接时,IDDQ 的典型值为 0.7µA
  • 三个输入电源选项
    • IN1:USB 充电电源
    • IN2:VCONN 电源
    • AUX:器件电源
  • 电源唤醒可保证系统冬眠 (S4) 和关闭 (S5) 功耗状态下的低功耗
  • 34mΩ(典型值)高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1.7A 或 3.4A 可编程 ILIM (±7.1%)
  • 端口功率管理可实现多端口功率资源优化
  • 封装:20 引脚晶圆级四方扁平无引线 (WQFN) 封装 (3mm x 4mm) CC 引脚符合 IEC-61000-4-2 标准

应用

  • 汽车信息娱乐系统
  • 汽车后座 USB 充电

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描述

TPS25810-Q1 是一款 USB Type-C 下行数据端口 (DFP) 控制器,集成了一个额定电流为 3A 的 USB 电源开关。TPS25810-Q1 器件监测 Type-C 配置通道 (CC) 线路,确定 USB 设备何时与其相连。如果连接与上行数据端口 (UFP) 器件 相连,TPS25810-Q1 可将电源应用于 VBUS 并将可选 VBUS 拉电流能力通过 CC 线路传输至 UFP。如果使用以电气方式标记的电缆连接 UFP,TPS25810‑Q1 器件也可以将 VCONN 电源应用于电缆的 CC 引脚。TPS25810-Q1 器件还会识别何时连接了 Type-C 音频或调试附件。

TPS25810-Q1 器件在未连接器件时的电流消耗低于 0.7µA(典型值)。在未连接 UFP 时,S4 和 S5 系统电源使用 UFP 输出禁用 5V 高功率电源,从而进一步实现系统节能。在此模式下,器件能够由电压较低 (3.3V) 的辅助电源 (AUX) 供电运行,该电源通常在低功耗状态(S4 和 S5)下为系统微控制器供电。

TPS25810-Q1 34mΩ 电源开关具备两种固定电流限值可供选择,对应于 Type-C 电流水平。FAULT 输出在开关处于过流和过热条件时发出信号。在所有端口无法同时提供高电流 (3A) 的环境下,LD_DET 输出可针对多个高电流 Type-C 端口的功率管理进行控制。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 TPS25810-Q1 具有负载检测功能的 USB Type-C DFP 控制器和电源开关 数据表 下载英文版本 2016年 6月 3日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM340.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DDPAK/TO-263 (KTT) 3 视图选项

订购与质量

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