PMP4428

适用于工业应用,低高度的 18Vin 至 40Vin、隔离式 5V/6A 电源参考设计

PMP4428

设计文件

概述

这款 5V/6A 解决方案实现了高效的有源钳位控制器 LM5025A 和自驱动同步整流器。如典型工业要求,输入电压为 18V 至 40V,效率在 24Vin 满载时为 89.5%。变压器嵌入 PCB,高度可以满足 8mm。该设计适合高度受限的凹进应用。

特性
  • 宽输入电压范围:18V 至 40V
  • 可调双模式过流保护
  • 有源钳位正向 +S.R 控制器,可实现高效率
  • 使用更少的输出电容器来降低输出纹波电压
  • 小巧的外形:60mm x 40mm x 8mm
  • 通过自驱动次级同步整流器电路来实现低成本
输出电压选项 PMP4428.1
输入电压(最小值)(V) 18
输入电压(最大值)(V) 40
输出电压(标称值)(V) 5
Iout(最大值)(A) 6
输出功率 (W) 30
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Forward- Active Clamp
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU841.PDF (718 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDRDE1.PDF (64 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRDE2.ZIP (655 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDRDE0.PDF (102 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

交流/直流控制器

LM5025A具有 P 或 N 沟道钳位 FET 和 0.5V CS 阈值的 90V 有源钳位电压模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD17301Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

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* 测试报告 PMP4428 Test Results 2015-3-11

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