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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 15.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 10.8 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 85 QG typ (nC) 2.8 QGD typ (nC) 0.8 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.6 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 65 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅终端镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
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描述

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。

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CSD17579Q5A 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM028A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

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用于 PoE 应用的多输出、高效率反激转换器
PMP8454 — 该转换器用于需要高效率和多输出的 3 类 PoE 应用。PMP8454.1 的输出为 3.3V (2A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23785B 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
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PMP10026 该参考设计的输入电压范围是 3 V 至 6.5 V,输出电压为 6.5 V。
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document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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用于 PoE 应用的多输出、高效率反激转换器
PMP8407 — 该转换器用于需要高效率和多输出的 2 类 PoE 应用。PMP8407.1 的输出为 3.3V (0.88A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23785B 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
用于 PoE 应用的 5V/2A 高效反激转换器
PMP8896 — 该转换器用于需要高效率的 3 类 PoE 应用。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 PoE 应用。TPS23753A 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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