CSD17527Q5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17579Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 15.5 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.8 IDM - pulsed drain current (max) (A) 85 QG (typ) (nC) 2.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.2 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 65 ID - package limited (A) 65 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 15.5 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.8 IDM - pulsed drain current (max) (A) 85 QG (typ) (nC) 2.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.2 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 65 ID - package limited (A) 65 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅终端镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅终端镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 12
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2011年 8月 11日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 13日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 3月 15日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD17527Q5A PSpice Model (Rev. B)

SLPM028B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP8454 — 用于 PoE 应用的多输出、高效率反激转换器

该转换器用于需要高效率和多输出的 3 类 PoE 应用。PMP8454.1 的输出为 3.3V (2A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23785B 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
测试报告: PDF
参考设计

PMP10026 — 6.5V/2A 升压转换器参考设计

该参考设计的输入电压范围是 3 V 至 6.5 V,输出电压为 6.5 V。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP9175 — 用于 PoE 应用的 3 类 5V/2.3A 高效率同步反激转换器

此转换器用于需要高效率和隔离的 3 类 PoE 应用。此设计的特定输出为 5V (2.3A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23753APW 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP8407 — 用于 PoE 应用的多输出、高效率反激转换器

该转换器用于需要高效率和多输出的 2 类 PoE 应用。PMP8407.1 的输出为 3.3V (0.88A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23785B 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP8896 — 用于 PoE 应用的 5V/2A 高效反激转换器

该转换器用于需要高效率的 3 类 PoE 应用。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 PoE 应用。TPS23753A 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSONP (DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频