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产品详细信息

参数

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 15.1 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 137 QG typ (nC) 17 QGD typ (nC) 3.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 44 ID, package limited (A) 40 Logic level No open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 电机控制

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描述

这款 100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 下载英文版本 2014年 6月 24日
白皮书 Power Electronics in Motor Drives: Where is it? 2019年 10月 1日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM119B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM324.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD19534Q5A 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

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