CSD25211W1015

正在供货

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD25211W1015

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产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
  • 超薄型,高 0.62mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
  • 超薄型,高 0.62mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS
  • 无卤素

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

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设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM338A.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

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