CSD88584Q5DC

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

产品详情

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DMM) 22 30 mm² 6 x 5
  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 R DS(ON),可更大限度地降低传导损耗
    • 电流为 35A 时,P Loss 为 2.4W
  • DualCool™ 散热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子镀层
  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 R DS(ON),可更大限度地降低传导损耗
    • 电流为 35A 时,P Loss 为 2.4W
  • DualCool™ 散热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子镀层

CSD88584Q5DC 40V 电源块是一款针对手持设备、无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用的优化设计。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术来更大限度地减小寄生电感,同时采用节省空间的散热增强型 DualCool™ 5mm × 6mm 封装,可提供完整半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用通过封装顶部散发 PCB 热量,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热性能。

CSD88584Q5DC 40V 电源块是一款针对手持设备、无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用的优化设计。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术来更大限度地减小寄生电感,同时采用节省空间的散热增强型 DualCool™ 5mm × 6mm 封装,可提供完整半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用通过封装顶部散发 PCB 热量,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热性能。

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设计和开发

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评估板

BOOSTXL-DRV8304H — DRV8304H 三相智能栅极驱动器评估模块

The BOOSTXL-DRV8304HEVM evaluation module  (EVM) is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8304H gate driver and A2 dual-package MOSFETs.  The EVM has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making (...)
用户指南: PDF
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评估板

DRV8306EVM — DRV8306 三相电机智能栅极驱动器评估模块

DRV8306 评估模块 (EVM) 是一个可用于轻松评估 DRV8306 器件的应用板。DRV8306 器件是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。DRV8306 器件会提供三个高精度的休整和温度补偿半桥驱动器,每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 型 MOSFET。
用户指南: PDF
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评估板

DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 汽车类三相电机智能栅极驱动器评估模块

DRV8343H-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343H-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
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评估板

DRV8343S-Q1EVM — DRV8343S-Q1 汽车类三相电机智能栅极驱动器评估模块

DRV8343S-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343S-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
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仿真模型

CSD88584Q5DC Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM326B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
MOSFET
CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88584Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块 CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
软件
计算工具
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
MOSFET
CSD13201W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单通道、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13303W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单通道、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13383F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD83325L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86311W1723 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双通道共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87313DMS 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87501L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87503Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88584Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块 CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
参考设计

TIDA-00774 — 效率大于 98% 的 18V/1kW、160A 峰值电流、高功率密度无刷电机驱动器参考设计

TIDA-00774 是一款 1kW 驱动器,适用于由 5 芯锂离子电池供电(最高电压 21V)的电动工具中的三相无刷直流 (BLDC) 电机。本设计是一款 65mm x 60mm 的紧凑型驱动器,采用基于传感器的梯形控制。本设计采用 TI 的 MOSFET 电源块技术,将两个采用半桥配置的 FET 集成到一个 SON 5x6 封装中,从而实现极高的功率密度。本设计使用两个并联的电源块,可以提供连续(120A 峰值持续 3 秒,160A 峰值持续 1 秒)的 50ARMS 绕组电流。MOSFET (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01516 — 支持低功耗 Bluetooth® 5.0 的单微控制器 18V/600W BLDC 电机控制参考设计

此参考设计提供了 Bluetooth® 5.0 SimpleLink™ 选件,其具有更好的工业噪声抑制能力、更宽的范围以及更低的功耗,适用于各种工业应用,例如由 5 枚锂离子电池供电的电动工具。该功率级参考设计使用单个低功耗蓝牙 (BLE) MCU 进行无线连接和三相无刷直流 (BLDC) 电机梯形控制,在单个板上进行设计,从而降低了 BOM 以及总成本。该设计即使在功率级驱动电机时也能够表现出 –96dBm 的 BLE RX 灵敏度,从而体现射频性能的稳健性。该设计还展示了具有过流和短路保护功能(通过 MOSFET VDS 感应提供)的小尺寸功率级。
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参考设计

TIDA-010072 — 适用于呼吸应用的鼓风机和阀门控制参考设计

此参考设计提供了一种紧凑的系统设计,可支持高达 ±200kRPM/s 的电机加速和减速(这是许多呼吸机应用中的一项关键要求)。该设计支持许多非板载 C2000 控制器(包括 TMS320F28027F),可实现低成本、无传感器的磁场定向控制 (FOC)。此外,该设计还支持宽输入电压范围(6V 至 28V)以及线路和电池功率调节。为驱动鼓风机和阀门,此设计分别使用了 DRV8323RS 智能栅极驱动器和 DRV8847 电机驱动器。
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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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