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产品详细信息

参数

VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 10.2 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 44 QG typ (nC) 8.6 QGD typ (nC) 3 Package (mm) WLP 1.0x1.5 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YZC) 6 3 mm² 1.5 x 1.006 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
  • 低高度(高度为 0.62mm)
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

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描述

这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD13306W 12V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 下载英文版本 2015年 3月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM150A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs

参考设计

参考设计 下载
适用于 SpO2 和其他医疗应用的高效、高电流、线性 LED 驱动器参考设计
TIDA-010043 — This reference design provides a protected, efficient (headroom-controlled), high-current (up to 1.5 A), linear (accurate and fast) light-emitting diode (LED) driver reference design to enable peripheral capillary oxygen saturation (SpO2) and other medical applications. A typical SpO2 application (...)
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YZC) 6 视图选项

订购与质量

支持与培训

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