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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 11.8 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 78 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 50 ID, package limited (A) 50 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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描述

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM126A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
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计算工具 下载
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CAD/CAE 符号

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(DQG) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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