CSD17308Q3

Name: CSD17308Q3
Brand: TI
SKU: CSD17308Q3
Price: .242 USD

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17579Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

CSD17308Q3

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产品详情

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

11.8

IDM - pulsed drain current (max) (A)

QG (typ) (nC)

3.9

QGD (typ) (nC)

0.8

QGS (typ) (nC)

1.3

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.3

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

11.8

IDM - pulsed drain current (max) (A)

QG (typ) (nC)

3.9

QGD (typ) (nC)

0.8

QGS (typ) (nC)

1.3

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.3

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VSON-CLIP (DQG)

10.89 mm² 3.3 x 3.3

针对 5V 栅极驱动器进行了优化
超低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS
无卤素
VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

针对 5V 栅极驱动器进行了优化
超低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS
无卤素
VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化。

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	类型	项目标题		下载最新的英语版本		日期
*	数据表	CSD17308Q3 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. C)	PDF \| HTML	下载英文版本 (Rev.C)	PDF \| HTML	2020年 5月 22日
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	模拟设计期刊	太阳能降压/升压电池充电器				2012年 6月 1日
	模拟设计期刊	模拟应用期刊 2011 第三季度		下载英文版本		2011年 12月 2日

设计和开发

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评估板

BQ500211AEVM-210 — bq500211A 评估模块

The bq500211AEVM-210 evaluation module (EVM) demonstrates the transmitter portion of the bqTESLA™ wireless power system. This transmitter EVM is a complete transmitter-side solution that powers a bqTESLA™ receiver. The EVM is compliant to WPC standard version 1.1 with Foreign Object Detection (...)

用户指南: PDF

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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)

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仿真模型

CSD17308Q3 TINA-TI Spice Model

SLPM064.TSM (8 KB) - TINA-TI Spice Model

下载

仿真模型

CSD17308Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM126B.ZIP (4 KB) - PSpice Model

下载

计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

下载

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

下载

计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

下载

计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)

下载

计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

下载

计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

下载

计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

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参考设计

TIDA-00657 — SMBus 1 到 4 节混合动力升压模式电池充电控制器参考设计

TIDA-00657 参考设计能实现高效率（1-2 A 时高于 90%）以及更快的充电速度（充电电流高达 3 A）。该设计使用 TI 的带混合动力升压模式的 BQ24780 工业创新充电控制器，同时提供电源和处理器热监测功能。

设计指南: PDF

原理图: PDF

参考设计

PMP40441 — 适用于 USB PD PPS 的多芯降压/升压电池充电器系统参考设计

此参考设计适用于 USB 电力输送 (PD) 电池充电应用，例如移动电源或其他便携式设备。它采用降压/升压充电器 BQ25713 为 USB PD 充电实现广泛的输入和输出范围。USB PD 控制器卡 (PMP40442) 可以将充电器配置为通过同一个电源路径进行充电或 OTG。PMP40441/2 与 PD2.0 兼容。它还展示了 BQ25713 能够满足 PD 的可编程电源 (PPS) 标准。在 OTG 方向（也就是将移动电源用作电源），USB 端口可输出 5/9/15/20V 的固定 USB PD 电压以及 3.3V 至 5.9/11/21V 的 USB PD PPS 电压，阶跃小于 (...)

测试报告: PDF

原理图: PDF

参考设计

PMP40294 — 双向电池电源系统板 +USB A 5V2A 输出参考设计

PMP40294 参考设计适用于需要更多充电和放电功率的高容量电池组。它可以支持来自任何适配器的宽输入电压范围 (5~20V)，并向 3S 电池组提供高达 3A 的最大充电电流。它采用双向降压/升压控制器 BQ25703A，其功率流可在相同功率级内双向流动。在反向模式下，可将来自电池的 5/9/12/14.5/15/16/19/20V 3A 输入输送至端口。数字编程功能进一步扩展了它的功能。

测试报告: PDF

原理图: PDF