主页 电源管理 MOSFET N 沟道 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD19502Q5B

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD19502Q5B

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.1 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.6 QGS (typ) (nC) 14 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 157 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.1 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.6 QGS (typ) (nC) 14 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 157 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
open-in-new 查找其他 N 沟道 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 11
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD19502Q5B 80V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2017年 6月 13日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 13日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 3月 15日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
下载
仿真模型

CSD19502Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM163.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD19502Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM097B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)
下载
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
了解详情
参考设计

PMP22087 — 具有 80 PLUS 铂金兼容性能的 336W 无辅助交流/直流电源参考设计

该参考设计是一种交流/直流电源设计，具有临界传导模式 (CRM) PFC 和半桥 LLC 串联谐振转换器，可从通用输入交流电压（90VAC 至 264VAC）提供 24V/240W 连续、336W 峰值输出。该设计使用 UCC28056 CRM/DCM PFC 控制器、UCC256404 增强型 LLC 控制器和具有突发模式的 UCC24612-2 同步整流器控制器，以实现低待机功耗。该设计在 115VAC 电压下功耗为 87mW，在 230VAC 电压下功耗为 124mW，并且在 115VAC 输入下可实现 93.4% 的峰值效率，在 230VAC 输入下可实现 95.3% (...)
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP21278 — 适用于工业 PC 的 300W 12V 输出电压 4 开关降压/升压转换器参考设计

PMP21278 参考设计是一款 300W 的电源，它采用 LM5176 4 开关降压/升压控制器，适用于工业应用。此设计的工作电压为 9V 至 50V。此设计具有 12V 的输出，并且能够提供 25A 的持续电流。开关频率设为 230kHz。PMP21278 组装在 SV601348A PCB 上。对于该测试报告上采用的所有测试数据，使用三个具有 6.8mF、65V 额定值的电解电容器来减弱输入电源的线路电感。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP20396 — 400V 输入、50W 输出、多路输出偏置电源参考设计

PMP20396 是一款多输出隔离式偏置电源参考设计。采用 100V 或以上的输入电压时，此设计可提供最大 2W 的输出功率。采用 300V 或以上的输入电压时，此设计可提供最大 50W 的输出功率。此设计提供四路不同的输出：初级侧为 5V/500mA 和 12V/50mA，次级侧为 5V/700mA 和 12V/4000mA。此设计的峰值效率达到 90%。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP20432 — 100V 至 410V 直流输入、12V/4.5A 输出的偏置电源参考设计

PMP20432 是一款隔离式偏置电源参考设计。采用 100V 或以上的输入电压时，此设计可提供最大 2W 的输出功率。采用 300V 或以上的输入电压时，此设计可提供最大 52W 的输出功率，并提供 12V 稳压输出。此设计的峰值效率达到 91.5%。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP9522 — 隔离式 26VAC/DC 固态继电器

此隔离式双向固态开关可控制流入直流负载和交流负载的电流。此开关的额定电压为 24VAC，可对高达大约 17A 的负载进行开关操作。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DNK) 8 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频