产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 280 QG typ (nC) 13 QGD typ (nC) 2.8 QGS typ (nC) 5.1 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 83 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 280 QG typ (nC) 13 QGD typ (nC) 2.8 QGS typ (nC) 5.1 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 83 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

这款 30V,3.5mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 2.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

这款 30V,3.5mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

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。最大 RθJC = 2.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
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设计和开发

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仿真模型

CSD17577Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM140B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型

CSD17577Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM216.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

TIDA-01367 — Cavium CN99xx Thunder X2 CPU PMBus VDD/VDD SRAM 核心功耗设计

TIDA-01367 参考设计采用 TPS53679 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率级,可实现适合为联网专用集成电路 (ASIC) 供电的高性能设计。

该控制器的双路输出分别面向具有六相设计的 240A、0.8V 内核轨和 20A、0.85V 辅助轨。智能功率级和集成 PMBus™ 便于轻松设置输出电压和遥测关键设计参数。此参考设计允许对电源进行配置、输出电压调整和补偿调整,并可监控输入和输出电压、电流、功率和温度。

TI 的 Fusion Digital Power™ 设计器可用于系统编程、监控、验证和特性描述。

原理图: PDF
封装 引脚数 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频