CSD17577Q5A

Name: CSD17577Q5A
Brand: TI
SKU: CSD17577Q5A
Price: .184 USD

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17577Q5A

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VDS (V)

30

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.8

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

4.2

IDM - pulsed drain current (max) (A)

280

QG (typ) (nC)

13

QGD (typ) (nC)

2.8

QGS (typ) (nC)

5.1

VGS (V)

20

VGSTH typ (typ) (V)

1.4

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

83

ID - package limited (A)

60

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

30

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.8

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IDM - pulsed drain current (max) (A)

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QG (typ) (nC)

13

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5.1

VGS (V)

20

VGSTH typ (typ) (V)

1.4

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

83

ID - package limited (A)

60

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VSONP (DQJ)

8

29.4 mm² 4.9 x 6

低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步 FET 应用进行了优化

低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步 FET 应用进行了优化

这款 30V，3.5mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 R_θJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司的铜焊盘上测得的典型值
。最大 R_θJC = 2.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

这款 30V，3.5mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 R_θJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司的铜焊盘上测得的典型值
。最大 R_θJC = 2.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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该控制器的双路输出分别面向具有六相设计的 240A、0.8V 内核轨和 20A、0.85V 辅助轨。智能功率级和集成 PMBus™ 便于轻松设置输出电压和遥测关键设计参数。此参考设计允许对电源进行配置、输出电压调整和补偿调整，并可监控输入和输出电压、电流、功率和温度。

TI 的 Fusion Digital Power™ 设计器可用于系统编程、监控、验证和特性描述。

设计指南: PDF

原理图: PDF

封装	引脚数	下载
VSONP (DQJ)	8	了解详情

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