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VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 231 QG typ (nC) 27 QGD typ (nC) 4.9 QGS typ (nC) 7.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID - package limited (A) 100 Logic level No
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 231 QG typ (nC) 27 QGD typ (nC) 4.9 QGS typ (nC) 7.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID - package limited (A) 100 Logic level No
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%

这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%

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* 数据表 CSD19533Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 8月 12日
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设计和开发

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仿真模型

CSD19533Q5A TINA-TI Reference Design

SLPM305.TSC (2139 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

CSD19533Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM306.ZIP (21 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD19533Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM103B.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

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