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N 沟道 MOSFET

CSD19533Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.5 IDM - pulsed drain current (max) (A) 231 QG (typ) (nC) 27 QGD (typ) (nC) 4.9 QGS (typ) (nC) 7.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 75 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.5 IDM - pulsed drain current (max) (A) 231 QG (typ) (nC) 27 QGD (typ) (nC) 4.9 QGS (typ) (nC) 7.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 75 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%

这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
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