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CSD87352Q5D

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采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

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产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 25 Power loss (W) 1.8 Ploss current (A) 15 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 25 Power loss (W) 1.8 Ploss current (A) 15 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
LSON-CLIP (DQY) 8 30 mm² 5 x 6
  • 半桥电源块
  • 15A 电流时系统效率为 91%
  • 高达 25A 运行
  • 高频工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 半桥电源块
  • 15A 电流时系统效率为 91%
  • 高达 25A 运行
  • 高频工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

此CSD87352Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。

此CSD87352Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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设计与开发

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仿真模型

CSD87352Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM026B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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计算工具

SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
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计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

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计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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参考设计

PMP22419 — 140W 高功率密度电池充电器参考设计

该电池充电器参考设计采用 BQ25720 1 至 4 节窄电压直流 (NVDC) 降压/升压电池充电控制器，适用于 20V 输入电压、140W 笔记本电脑 (PC)。该电池充电器可提供 140W 的功率和 97.2% 的效率，具有 1in × 1.3in (25.4mm × 33.0mm) 的紧凑外形。该高密度设计使用我们的双场效应晶体管 (FET) CSD87352，与分立式 FET 设计相比，可将设计尺寸减小 40%。得益于我们的双 FET 具有低热阻，即使设计尺寸较小，器件也能保持较低温度。该参考设计适合关注大功率、高效率和高密度的笔记本电脑。该设计支持 1 至 4 (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQY) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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