产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 29 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 20 QG typ (nC) 2 QGD typ (nC) 0.4 QGS typ (nC) 0.6 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 20 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 29 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 20 QG typ (nC) 2 QGD typ (nC) 0.4 QGS typ (nC) 0.6 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 20 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • DC-DC Converters
    • Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

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This 25-V, 19-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The 2-mm × 2-mm SON package offers excellent thermal performance for the size of the package.

This 25-V, 19-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The 2-mm × 2-mm SON package offers excellent thermal performance for the size of the package.

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