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N 沟道 MOSFET

CSD16403Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 184 QG typ (nC) 13.3 QGD typ (nC) 3.5 QGS typ (nC) 5.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 184 QG typ (nC) 13.3 QGD typ (nC) 3.5 QGS typ (nC) 5.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计和开发

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