返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.4 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 337 QG typ (nC) 37 QGD typ (nC) 6.6 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.7 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 110 ID, package limited (A) 100 Logic level No open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

这款 100V,5.3mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载

技术文档

= 特色
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 7
类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD19531Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2014年 7月 28日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

硬件开发

子卡 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明
The UCC24636EVM is a demonstration daughter board that allows quick installation into an existing DCM Flyback power supply to convert an output diode rectifier into a synchronous rectifier to improve efficiency. The board is programmed by the user and may be wired directly into the output stage (...)
特性
  • Board includes UCC24636 and SR MOSFET
  • Retrofit in 5V or 12V DCM Flyback converter designs
  • SR MOSFET CSD19531 100V/5.3mΩ
  • User-programmable for 5-V to 12-V outputs

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM077B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM111A.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

参考设计 下载
TIDA-010042
TIDA-010042 — 该参考设计是一款适用于 12V 和 24V 太阳能电池板的最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器。该参考设计布局紧凑,可适用于中小型太阳能充电器解决方案,能够在 15V 至 60V 太阳能电池板模块、12V 或 24V 电池中正常运行,提供高达 20A 的输出电流。该设计利用两相交错降压转换器将电池板电压降低至电池电压。降压转换器及与其连接的栅极驱动器由微控制器单元 (MCU) 控制,该微控制器单元使用扰动观测法计算最大功率点。该太阳能 MPPT 充电控制器在设计时便将各种实际设计注意事项考虑在内,其中包括电池反向保护、软件可编程警报和指示以及浪涌和 ESD 保护等。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
54-Vdc input, 12-V 4-A output half-bridge reference design
PMP40500 — 这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能(过流、短路)。本指南对使用 3kVrms 基本和功能隔离栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kVrms 增强型隔离栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
适用于输入电压低于 100V 的直流/直流转换器的功率级参考设计
TIDA-050022 — This reference design implements a high frequency power stage design based on the UCC27282 120-V half-bridge MOSFET driver and CSD19531 100-V power MOSFETs. With efficient switches and flexible VGS operating range, this design can reduce overall gate drive and conduction losses to achieve (...)
document-generic 原理图
参考设计 下载
适用于 PSU 且效率大于 90% 的 36W 通用输入双输出辅助电源参考设计
TIDA-00709 — TIDA-00709 是一种采用通用直流输入的 36W 双输出辅助电源,面向服务器和电信电源。此参考设计是使用 UCC28740 恒定电压/恒定电流 (CV-CC) 反激式控制器来实现的准谐振 (QR) 反激式转换器,具有针对电压的光耦合反馈和针对电流的初级侧调节 (PSR)。为了提高效率,TIDA-00709 将同步整流器与同步控制器 UCC24636 和低 RDS(on) MOSFET 结合使用,从而实现 12V_ISO/2.75A 主输出。此设计小巧而经济,具有几乎所有的必要内置保护机制,例如针对输出过压和短路的保护。此外,该设计具有内置电子保险丝,用于在 12V 主输出电压轨上实现故障隔离,而不影响任何其他输出。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
65W 高效 CoC-5 tier2/DOE VI 级交流适配器
TIDA-00519 这是一种高效 65W 交流/直流设计,使用配备 UCC24630 同步整流控制器和 CSD19531Q5A MOSFET 的 LM5023 准谐振反激式控制器将通用输入(85Vac 至 265Vac)转换为 19.5V (3.33A) 输出,超过了对于外部电源的 CoC-5 2 级和 DOE VI 级要求。此外,还使用 LM8364 复位控制器提供交流输入线路 UVLO 保护。

如 APEC 上所示

document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
38W 离线 AC/DC 转换模式同步反激转换器参考设计
PMP10145 PMP10145 参考设计将 UCC28610 反激式控制器用于转换模式反激式拓扑。此参考设计可从宽交流输入电压范围 (80VAC - 291VAC) 中生成隔离式输出 (9V/4.22A)。该控制器保持非连续模式运行和谷值开关(在整个工作范围内)。UCC24630 同步整流器控制器可在总负载下提供高效率。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
85-265VAC 输入、12V/30W 双开关反激参考设计
PMP10936 PMP10936 参考设计使用 UCC28740 在 2.5 A 输出时提供隔离式 12 V 电压。UCC24632 用于控制同步整流器以实现高效率。双开关反激式拓扑可再次利用变压器的漏能并进一步改善效率。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
具有同步整流功能的通用交流输入、12V/3A 单级 PFC 反激参考设计
PMP9730 PMP9730 参考设计采用 UCC28051 功率因数校正控制器来实现单级 PFC 反激式交流/直流转换器,使其从通用交流输入生成隔离式 12V@3A 输出。此设计采用 UCC28910 初级侧调节反激式转换器来产生 VDD 偏置轨,并采用 UCC24610 进行次级侧同步整流。因此,该设计为需要隔离式总线电压、良好功率因数和高效率的系统(如电机驱动器)提供了优秀的解决方案。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
同步整流控制器子板参考设计
PMP11216 UCC24630 SR 控制器是针对次级侧同步整流中所用 N 通道 MOSFET 电源设备的高性能控制器和驱动器。通过使用伏秒平衡控制方法,UCC24630 特别适用于宽输出电压范围内的反激式电源,因为该 IC 不会直接连接到 MOSFET 漏极。SR 驱动关闭阈值与可针对最长传导时间进行优化的 MOSFET RDSON 无关。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
85 至 265VAC 输入 12V/3A 高效适配器参考设计
PMP9715 此参考设计可基于通用的交流输入范围提供隔离式 12V/36W 输出,峰值效率超过 89%。UCC24610 同步整流控制器和 CSD19531Q5A FET 可减少整流器损耗并实现高效率,所需增加的成本则微乎其微。UCC28740 反激式控制器同时使用峰值电流调制和频率调制来保持较轻负载条件下的出色效率并将空载功耗降到最低。UCC28740 的电流调节功能可提供精确的电流限制保护。紧凑的设计使其体积仅为 2.0" x 2.0" x 0.75"。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
24V 输入、12V/3.5A 输出 CCM 反激
PMP2829 This reference design uses the UCC2808A to control a 12V/42W flyback operated in continuous conduction mode. The CSD19531Q5A 6-milliOhm, 100V FET enables this design to achieve over 88% efficiency.

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 视图选项

订购与质量

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持