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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.7 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 200 QG typ (nC) 28 QGD typ (nC) 6 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point-of-Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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CSD17573Q5B 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

技术文档

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM120A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

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用于平板和智能手机的 85 至 265VAC 输入、5V/30W 双端口充电器参考设计
PMP10478 本参考设计能够以高达 82% 以上的效率同时为两个设备充电,充电电流均为 2.5A。UCC24610 同步整流控制器和 CSD17312Q5 FET 可降低整流器损耗并实现高效率,所需增加的成本则微乎其微。TPS2561A 针对每个端口提供了精确而独立的限流保护。TPS2513 会与充电的移动设备通信,以确保大多数手机和平板电脑接受充电器。此器件采用紧凑型设计,体积仅为 2.15" x 1.7" x 1.0"。
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PMP6753 — PMP6753 参考设计可通过宽范围 18V-60V 电信输入提供 3.3V 25A 的电源,效率达 94% 以上。该设计采用 UCC2897A 有源钳位控制器和德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET 进行同步整流。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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