主页 电源管理 MOSFET N 沟道 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD17312Q5

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

CSD17312Q5

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 28 QGD (typ) (nC) 6 QGS (typ) (nC) 8.4 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 28 QGD (typ) (nC) 6 QGS (typ) (nC) 8.4 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DQH) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point-of-Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point-of-Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
open-in-new 查找其他 N 沟道 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 12
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 30V N-Channel NexFET-Power MOSFET, CSD17312Q5 数据表 (Rev. A) 2010年 9月 30日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 13日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 3月 15日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
下载
仿真模型

CSD17312Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM120B.ZIP (9 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
下载
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)
下载
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
了解详情
参考设计

PMP10478 — 用于平板和智能手机的 85 至 265VAC 输入、5V/30W 双端口充电器参考设计

本参考设计能够以高达 82% 以上的效率同时为两个设备充电，充电电流均为 2.5A。UCC24610 同步整流控制器和 CSD17312Q5 FET 可降低整流器损耗并实现高效率，所需增加的成本则微乎其微。TPS2561A 针对每个端口提供了精确而独立的限流保护。TPS2513 会与充电的移动设备通信，以确保大多数手机和平板电脑接受充电器。此器件采用紧凑型设计，体积仅为 2.15" x 1.7" x 1.0"。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP5711 — 用于模块替换的电信总线转换器

最佳的性能、最大功率 175W 电信有源钳位正向、在 35A 电流条件下具有 5V 电压，且具有最小巧的外形
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP8366 — 36Vdc-75Vdc 输入、5V/20A 有源钳位正向、1/8 砖型

此参考设计可从标准 48V 电信输入生成 5V/20A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD17312Q5 的低栅极和低导通电阻用作自驱动同步整流器，可提供高效设计。此设计布局在标准 1/8 砖型封装上，提供使能端、遥感和输出过压功能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP8252 — 18Vdc-60Vdc 输入、3.3V @ 30A 输出、效率高达 93% 的有源钳位正向

PMP8252 参考设计可通过宽范围 18V-60V 电信输入提供 3.3V 30A 的电源，峰值效率超过 93%。该设计采用 UCC2897A 有源钳位控制器和德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET 进行同步整流。
测试报告: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频