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CSD17581Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 136 QG typ (nC) 6.8 QGD typ (nC) 1.3 QGS typ (nC) 2.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 97 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 136 QG typ (nC) 6.8 QGD typ (nC) 1.3 QGS typ (nC) 2.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 97 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Synchronous or Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Synchronous or Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
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设计和开发

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评估板

TPS40305EVM-488 — 具有 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-14V 输入电压、1.8V 输出电压同步降压控制器评估模块

TPS40305EVM-488 评估模块 (EVM) 是同步降压转换器,它在高达 10A 的电流下提供 1.8V 固定输出电压,并由 12V 输入总线供电。该 EVM 设计成从单电源启动,因此无需额外偏置电压即可启动。该模块使用 TPS40305 高性能、中等输入电压同步降压控制器和 TI 的 NexFET™ 高性能 MOSFET。TPS40305EVM-488 设计成使用 12-V (8V-14V) 稳压总线电压,可在高达 10A 的负载电流下产生 1.8V 稳压输出。TPS40305EVM-488 旨在演示 TPS40305 控制器和 TI NexFET 在典型的 12V (...)

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD16322Q5 TINA-TI Spice Model

SLLM067.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD16322Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM100B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP5800 — 用于 Intel IMVP6.5 Arrandale CPU 内核的同步降压 (1.05V@48A)

适用于工业和嵌入式 PC 的 Intel Core i7 (Arrandale) 48A CPU 内核参考设计;此两相 48A 设计面向采用 Intel Core i7 处理器的嵌入式和工业 PC,在小面积内提供紧凑 CPU 内核电压调节和出众热性能
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频