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CSD13383F4

正在供货

采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 44 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 65 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 2 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 0.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.9 ID - package limited (A) 2.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 44 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 65 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 2 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 0.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.9 ID - package limited (A) 2.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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* 数据表 CSD13383F4 12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 4月 12日
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应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这个 FemtoFET N 沟道评估模块 (EVM) 包含七个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  七个 FemtoFET 支持 12V 至 60V 的 VDS 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

TMDXICE110 — AMIC110 工业通信引擎 (ICE)

AMIC110 工业通信引擎 (ICE) 是一款面向工业通信且尤其是工业以太网的开发平台。AMIC110 ICE 的关键是 Sitara AMIC110 SoC,其采用 Arm® Cortex™-A8 处理器和可编程实时单元工业通信子系统 (PRU-ICSS),无需 ASIC 或 FPGA 即可集成实时工业协议。AMIC110 ICE 采用 BoosterPack™ 插入式模块外形,可与 C2000 LaunchPad™ 开发套件结合使用,为工厂自动化中的联网电机驱动器以及工业传感器和 IO 开发解决方案。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD13383F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM142B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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参考设计

TIDA-00299 — EtherCAT 从属设备和多协议工业以太网参考设计

此参考设计实现了经成本优化且具有连接到应用处理器的 SPI 接口的高 EMC 抗扰性 EtherCAT 从站(双端口)。该硬件设计能够利用 AMIC110 工业通信处理器来支持多协议工业以太网和现场总线。该设计由 5V 单电源供电;PMIC 生成所有必要的板载轨道。EtherCAT 从站堆栈可以在 AMIC110 上运行,也可以通过串行外设接口 (SPI) 在应用处理器上运行。利用硬件开关,可对 AMIC110 进行配置,以从 SPI 闪存引导或通过 SPI 从应用处理器引导 EtherCAT 从固件。该设计已通过运行 EtherCAT 主站的标准工业 PLC 进行了 IEC61800-3 (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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