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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 9.8 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 229 QG typ (nC) 17 QGD typ (nC) 3.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 69 ID, package limited (A) 50 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

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描述

此 7.8mΩ、60V、SON 5 × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD18534Q5A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. D) 下载英文版本 (Rev.D) 2018年 3月 29日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 2018年 6月 25日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日
用户指南 Using the UCC28730EVM-552 2015年 2月 6日
技术文章 Making Ideas Real. 3D Printer Technology From TI! 2015年 1月 16日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
149
说明

BQ77PL900EVM-001 评估模块是适用于 BQ77PL900(5 至 10 节串联锂离子电池保护和 AFE 集成电路)的完整评估系统。此 EVM 包括 BQ77PL900 电路模块。此电路模块包括一个 BQ77PL900 集成电路 (IC)、感应电阻、功率 FET,还包括防止 5 至 10 节串联锂离子或锂聚合物电池组出现电池过充、过放电、短路和过流放电所需的所有其他板载组件。该电路模块直接与电池组中的电池相连。借助 EV2400 接口板和软件,用户可以读取 BQ77PL900 数据寄存器,对 IC 保护限制进行编程,并对 BQ77PL900 解决方案在不同工作条件下的整体功能进行评估。将此 EVM 与 PC 连接时需要使用 EV2400 板(可单独购买)。

特性
  • 3 至 5 节串联锂离子电池保护器,可提供完整的 V/I/T 保护功能
  • 低功耗(正常模式下典型值为 8µA,休眠模式下典型值为 2µA)
  • 自主式智能电池平衡
  • 用于演示电流控制的 FET
  • 经过测试的电路设计包含演示和入门指南

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)
支持软件 下载
SPLC001A.ZIP (311 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM058B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM223.ZIP (12 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)
计算工具 下载
SPLR001.ZIP (824 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD18534Q5A 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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