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MOSFET

CSD25501F3

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采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型封装
    • 最大厚度为 0.22mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型封装
    • 最大厚度为 0.22mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

此 –20V、64mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够更大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

此 –20V、64mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够更大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
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仿真模型

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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参考设计

TIDA-010070 — 适用于低压伺服驱动器、具有保护功能的直流总线输入电源和控制电源参考设计

此参考设计通过 ORing 控制器 LM5050-1 提供反极性和反向电流保护。同时，LM5069 热插拔控制器用于提供过流、过压、欠压保护和浪涌电流限制。该设计还包含适用于栅极驱动器、编码器和 MCU 电路等控制类电子装置的电源轨。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频