CSD18532Q5B

Name: CSD18532Q5B
Brand: TI
SKU: CSD18532Q5B
Price: .8 USD

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

4.3

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

3.2

IDM - pulsed drain current (max) (A)

400

QG (typ) (nC)

QGD (typ) (nC)

6.9

QGS (typ) (nC)

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.8

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

172

ID - package limited (A)

100

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

4.3

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

3.2

IDM - pulsed drain current (max) (A)

400

QG (typ) (nC)

QGD (typ) (nC)

6.9

QGS (typ) (nC)

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.8

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

172

ID - package limited (A)

100

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VSON-CLIP (DNK)

3E+1 mm² 6 x 5

超低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装

超低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗。

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