产品详细信息

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 6.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 172 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 6.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 172 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD18532Q5B 60V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D) 下载英文版本 (Rev.D) 2018年 3月 26日
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设计与开发

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  • 材料成分
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