30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm
产品详细信息
参数
特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
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描述
此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。
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设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM066A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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特性
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特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
SPLR002.ZIP (734 KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (DNK) | 8 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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