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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 28.5 QGD typ (nC) 6.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 215 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

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描述

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。

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功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
CSD17573Q5B 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM066A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DNK) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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