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功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 28.5 QGD typ (nC) 6.9 QGS typ (nC) 10.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 215 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 28.5 QGD typ (nC) 6.9 QGS typ (nC) 10.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 215 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD17556Q5B 30V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.D) PDF | HTML 2017年 12月 22日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD17556Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM066B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
封装 引脚数 下载
(DNK) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频