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N 沟道 MOSFET

CSD17556Q5B

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

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产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.8 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 28.5 QGD (typ) (nC) 6.9 QGS (typ) (nC) 10.7 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 215 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.8 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 28.5 QGD (typ) (nC) 6.9 QGS (typ) (nC) 10.7 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 215 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。
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设计和开发

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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
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仿真模型

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SLPM066B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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