CSD17579Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 106 QG (typ) (nC) 5.3 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.2 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 106 QG (typ) (nC) 5.3 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.2 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
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  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。

这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。

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设计和开发

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CSD17579Q3A TINA-TI Spice Model

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TIDA-010083 — 适用于机器视觉摄像机和视觉传感器的高密度隔离式 PoE 和 GigE 参考设计

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VSONP (DNH) 8 了解详情

订购和质量

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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
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