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CSD17576Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 25 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 8.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 184 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 25 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 8.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 184 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

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支持软件

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SLPC019A.ZIP (375 KB)
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SLPM127B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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参考设计

TIDA-00771 — 效率高达 97% 且具有堵转电流限制的 10.8V/250W 紧凑型无刷直流电机驱动器参考设计

TIDA-00771 是适用于由 3 节锂离子电池供电（电压范围为 5V 到 12.6V）的电动工具中三相无刷直流 (BLDC) 电机的 20A RMS 驱动器。该设计是可实现基于传感器的梯形控制的 45 x 50 mm 紧凑型驱动器。该设计使用一个分立式紧凑型基于 MOSFET 的三相逆变器，可提供 20A RMS 连续（持续 1 秒的 70A 峰值）绕组电流，无需任何外部冷却装置或散热器。栅极驱动器的转换率控制和电荷泵可确保在 5V 至 12.6V 之间实现最大逆变器效率（>97%，10.8V 直流）并具有最佳 EMI (...)
设计指南: PDF
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