CSD19538Q2

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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 59 IDM - pulsed drain current (max) (A) 34.4 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.1 ID - package limited (A) 14.4 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
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WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
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  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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设计和开发

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仿真模型

CSD19538Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM235.ZIP (13 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

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