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CSD16570Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • 极低电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 极低电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的 电阻， 不适用于开关 应用。

这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的 电阻， 不适用于开关 应用。

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设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

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仿真模型

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

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计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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参考设计

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

包含在电机控制 SDK 中的 MathWorks MATLAB (...)

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参考设计

PMP41081 — 使用 C2000™ 实时微控制器的 1kW、12V HHC LLC 参考设计

此参考设计是一款使用 F280039C 微控制器的 1kW、400V 至 12V 半桥谐振直流/直流平台，用于评估混合迟滞控制 (HHC) 的负载瞬态性能。HHC 是一种整合了直接频率控制 (DFC) 和电荷控制的控制方法，通过添加频率补偿斜坡来控制电荷。借助额外的内部环路，HHC 可以提高电感器-电感器-电容器 (LLC) 级的负载瞬态响应性能。
测试报告: PDF
参考设计

PMP40586 — 1kW 数字控制电流模式 LLC 参考设计

此参考设计是行业先进的数字混合迟滞控制 (HHC) 解决方案，适用于具有 12V 至 54V 输出的服务器 PSU 应用。此参考设计展示了 UCD3138 在 400V 至 12V 1kW LLC 功率级中实现的 HHC 控制优势。此设计可实现 8kHz 峰值环路带宽。它在 0% 至 100% 负载转换和 2.5A/us 压摆率下保持小于 500mV 的峰峰值偏差，在 0% 至 150% 负载转换和 2.5A/us 压摆率下保持小于 800mV 的峰峰值偏差。
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参考设计

TIDA-010087 — 100A 两相数字控制电池测试仪参考设计

该参考设计说明了一种使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 和精密 ADC ADS131M08 精确控制双向交错式降压转换器功率级电流和电压的方法。此设计利用 C2000 MCU 的高分辨率脉宽调制 (PWM) 生成外设，实现了低于 ±20mA 的电流调节误差和 ±1mV 的电压调节误差。
设计指南: PDF
参考设计

PMP40182 — 双向电池初始化系统电源板参考设计

此参考设计是适用于汽车和电池应用的电池初始化参考设计解决方案。此模块可实现高效单级转换，用于对电池进行充电和放电。此设计采用 0.1% 精度的电流控制环路，采用高性能 INA225 电流感应放大器。此设计外形紧凑 (40mm x 143mm x 20mm)。 
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原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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