CSD17579Q5A

Name: CSD17579Q5A
Brand: TI
SKU: CSD17579Q5A
Price: .149 USD

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

13.3

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

9.7

IDM - pulsed drain current (max) (A)

105

QG (typ) (nC)

5.4

QGD (typ) (nC)

1.2

QGS (typ) (nC)

2.3

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.5

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

13.3

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

9.7

IDM - pulsed drain current (max) (A)

105

QG (typ) (nC)

5.4

QGD (typ) (nC)

1.2

QGS (typ) (nC)

2.3

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.5

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VSONP (DQJ)

29.4 mm² 4.9 x 6

低 Q_g 和 Q_gd
低 R_DS(on)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

低 Q_g 和 Q_gd
低 R_DS(on)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

这款 30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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设计和开发

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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)

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仿真模型

CSD17579Q5A Unencrypted PSpice Model

SLPM344.ZIP (3 KB) - PSpice Model

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计算工具

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测试报告: PDF

原理图: PDF