CSD17579Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 13.3 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 105 QG (typ) (nC) 5.4 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.3 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 46 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 13.3 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 105 QG (typ) (nC) 5.4 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.3 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 46 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

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这款 30V,8.4mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 30V,8.4mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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设计和开发

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仿真模型

CSD17579Q5A Unencrypted PSpice Model

SLPM344.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSONP (DQJ) 8 了解详情

订购和质量

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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