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25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 8.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 158 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 1.1 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 59 ID - package limited (A) 59 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
49
说明

TPS40304EVM-353 评估模块是一款同步降压控制器，可通过标称 12V 输入总线，在高达 20A 的电流下提供 1.2V 输出。根据设计，EVM 采用单电源启动，而无需附加的偏置电压。该模块使用我们的 NexFET™ 高性能 MOSFET，从而提高功率密度和效率。

特性
  • 600kHz 工作频率
  • 使用 CSD16410 高侧和 CSD16321 低侧 MOSFET
  • 模块支持 8V 至 14V 输入电压
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评估板 下载
document-generic 用户指南
49
说明

TPS40305EVM-488 评估模块 (EVM) 是同步降压转换器，它在高达 10A 的电流下提供 1.8V 固定输出电压，并由 12V 输入总线供电。该 EVM 设计成从单电源启动，因此无需额外偏置电压即可启动。该模块使用 TPS40305 (...)

特性
  • 8V 至 14V 输入电压范围
  • 1.8V ?2% 输出电压范围
  • 10A 稳定状态负载电流
  • 1.2MHz 开关频率
  • 可轻松访问 IC 功能，其中包括电源状态良好指示、启用功能、软启动和误差信号放大器
  • 便捷的测试点，用于对转换器的性能进行轻松、非侵入式测量
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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM112A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM053.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
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计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
查看详细信息
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

参考设计 下载
将 12V 转换为 1.2V（负载电流大于 6A）的三种不同降压转换器电路参考设计
PMP11438 — PMP11438 是用于比较将 12V 总线转换为 1.2V (6-10A) 的三种不同电源解决方案的工具。1.2V 输出电压适用于 DDR4 存储器应用。每种解决方案都在满负载效率、轻负载效率、密度、高度、瞬态响应或其中的某些组合方面具有优势。
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TPS62180 低功耗 DDR 存储器电源参考设计
PMP20025 — PMP20025 参考设计可为 DDR4 存储器提供紧凑型低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电，并将输出调节为 1.2V（电流高达 6A）。TPS62180 以两相降压模式运行，允许使用非常小的外部组件。该解决方案的尺寸为 10mm x 15mm。接近满载时的效率大约为 80%。当负载很轻时，效率仍然高于 50%。
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TPS53515 低功耗 DDR 存储器电源参考设计
PMP20026 — PMP20026 参考设计可为 DDR4 存储器提供高效的低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电，并将输出调节为 1.2V（电流高达 6A）。TPS53515 以单相降压模式运行（频率为 500kHz），可实现效率极高的转换。该解决方案的尺寸为 25mm x 15mm。电流为 5A 时，峰值效率接近 90%。当负载很轻时，效率仍然高于 40%。
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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