主页 电源管理 MOSFET N 沟道 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD16410Q5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17578Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

CSD16410Q5A

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 8.5 IDM - pulsed drain current (max) (A) 158 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 1.8 VGS (V) 16 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 59 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 8.5 IDM - pulsed drain current (max) (A) 158 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 1.8 VGS (V) 16 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 59 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
open-in-new 查找其他 N 沟道 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 14
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD16410Q5A 数据表 (Rev. A) 2010年 5月 21日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 13日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 3月 15日
用户指南 TPS40305 降压控制器评估模块用户指南 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 12日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日
更多文献资料 NexFET 功率 MOSFET 2009年 7月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPS40304EVM-353 — 具有 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-14V 输入电压、1.2V 输出电压同步降压控制器评估模块

TPS40304EVM-353 评估模块是一款同步降压控制器，可通过标称 12V 输入总线，在高达 20A 的电流下提供 1.2V 输出。根据设计，EVM 采用单电源启动，而无需附加的偏置电压。该模块使用我们的 NexFET™ 高性能 MOSFET，从而提高功率密度和效率。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

TPS40305EVM-488 — 具有 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-14V 输入电压、1.8V 输出电压同步降压控制器评估模块

TPS40305EVM-488 评估模块 (EVM) 是同步降压转换器，它在高达 10A 的电流下提供 1.8V 固定输出电压，并由 12V 输入总线供电。该 EVM 设计成从单电源启动，因此无需额外偏置电压即可启动。该模块使用 TPS40305 高性能、中等输入电压同步降压控制器和 TI 的 NexFET™ 高性能 MOSFET。TPS40305EVM-488 设计成使用 12-V (8V-14V) 稳压总线电压，可在高达 10A 的负载电流下产生 1.8V 稳压输出。TPS40305EVM-488 旨在演示 TPS40305 控制器和 TI NexFET 在典型的 12V (...)

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
下载
仿真模型

CSD16410Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM053.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD16410Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM112B.ZIP (9 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
下载
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)
下载
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
了解详情
参考设计

PMP11438 — 将 12V 转换为 1.2V（负载电流大于 6A）的三种不同降压转换器电路参考设计

PMP11438 是用于比较将 12V 总线转换为 1.2V (6-10A) 的三种不同电源解决方案的工具。1.2V 输出电压适用于 DDR4 存储器应用。每种解决方案都在满负载效率、轻负载效率、密度、高度、瞬态响应或其中的某些组合方面具有优势。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP20025 — TPS62180 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

PMP20025 参考设计可为 DDR4 存储器提供紧凑型低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电，并将输出调节为 1.2V（电流高达 6A）。TPS62180 以两相降压模式运行，允许使用非常小的外部组件。该解决方案的尺寸为 10mm x 15mm。接近满载时的效率大约为 80%。当负载很轻时，效率仍然高于 50%。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP20026 — TPS53515 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

PMP20026 参考设计可为 DDR4 存储器提供高效的低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电，并将输出调节为 1.2V（电流高达 6A）。TPS53515 以单相降压模式运行（频率为 500kHz），可实现效率极高的转换。该解决方案的尺寸为 25mm x 15mm。电流为 5A 时，峰值效率接近 90%。当负载很轻时，效率仍然高于 40%。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSONP (DQJ) 8 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频