CSD22206W

Name: CSD22206W
Brand: TI
SKU: CSD22206W
Price: 0.168 USD

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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD22206W

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VDS (V)

-8

VGS (V)

-6

Type

P-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.7

Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ)

9.1

VGSTH typ (typ) (V)

-0.7

QG (typ) (nC)

11.2

QGD (typ) (nC)

1.8

QGS (typ) (nC)

2.1

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

VDS (V)

-8

VGS (V)

-6

Type

P-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.7

Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ)

9.1

VGSTH typ (typ) (V)

-0.7

QG (typ) (nC)

11.2

QGD (typ) (nC)

1.8

QGS (typ) (nC)

2.1

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

DSBGA (YZF)

3.0625 mm² 1.75 x 1.75

超低电阻
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
无铅
栅极静电放电 (ESD) 保护
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅 - 源电压钳位

超低电阻
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
无铅
栅极静电放电 (ESD) 保护
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅 - 源电压钳位

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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