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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 150 QG typ (nC) 8.3 QGD typ (nC) 2.3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
    • Synchronous or Control FET Applications

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描述

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
CSD17577Q5A 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm This product has similar resistance and a lower price.

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM029A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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