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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.45 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 49 QGD (typ) (nC) 11.9 QGS (typ) (nC) 17.1 VGS (V) 20 VGSTH (typ) (V) 1.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 332 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
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VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
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  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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仿真模型

CSD17573Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM207.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD17573Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM126B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

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此参考设计是一款专为低频(基于变压器)单相 UPS(由 12V 电池供电)设计的 650W 逆变器功率级。此设计凭借采用 SON5x6 封装且具有极低 RDS(on) 和低栅极电荷 (Qg) 的 TI SMD MOSFET,实现小外形尺寸和高效率的解决方案。通过在全桥功率级的每个桥臂上并联使用两个器件,该功率级消除了散热器需求,从而降低了总体系统成本。
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PMP21278 — 适用于工业 PC 的 300W 12V 输出电压 4 开关降压/升压转换器参考设计

PMP21278 参考设计是一款 300W 的电源,它采用 LM5176 4 开关降压/升压控制器,适用于工业应用。此设计的工作电压为 9V 至 50V。此设计具有 12V 的输出,并且能够提供 25A 的持续电流。开关频率设为 230kHz。PMP21278 组装在 SV601348A PCB 上。对于该测试报告上采用的所有测试数据,使用三个具有 6.8mF、65V 额定值的电解电容器来减弱输入电源的线路电感。
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PMP10709 是系统经过优化的 50 W 电源设计,适用于在汽车系统中使用的 A13 无线充电器发射器。该设计具有各种前端汽车保护措施,例如通过 TVS 的负载突降(ISO 脉冲测试)、反向电压(通过 PFET 的体二极管)、具有 OVP 保护的电池断路开关 (PFET)。PMP10709 主要是四开关同步降压升压设计,支持宽输入电压范围(7 V 至 20 V),并能基于 A13 无线充电器的 DAC 输出提供 1 V 至 10 V 范围内的任意输出。DAC 输出会从 1 V 变化至 3.3 V,这继而会按照 A13 无线充电器的发射器的算法的需要将输出电压从 10 V 变为 1 (...)
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