CSD17573Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.45 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 49 QGD (typ) (nC) 11.9 QGS (typ) (nC) 17.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 332 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.45 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 49 QGD (typ) (nC) 11.9 QGS (typ) (nC) 17.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 332 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² (6 mm × 5 mm)
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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设计与开发

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