CSD23280F3
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 超薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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设计和开发
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评估板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块
这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南: PDF
参考设计
TIDA-01228 — 具有电感式传感的低功耗水流测量参考设计
This reference design demonstrates a highly-integrated solution for this application using an inductive sensing technique enabled by the CC1350 SimpleLink™ Wireless MCU and FemtoFET™ MOSFET. This reference design also provides the platform for integration of wireless communications (...)
参考设计
TIDA-01589 — 具有降噪和回声消除功能的高保真、近场双向音频参考设计
人机交互需要声学接口以提供全双工免提通信。在免提模式中，来自扬声器的远端或近端音频信号的一部分耦合至麦克风。此外，在噪声环境中，除了有用的近端音频信号之外，麦克风还会捕获环境噪声。捕获的多麦克风音频信号被声学背景噪声以及回声信号破坏，回声信号会显著降低所需信号的可懂度，并限制后续音频处理系统的性能。此参考设计所展示的双麦克风用于通过立体声 ADC 实现音频输入，通过低功耗 DSP 执行降噪、声学回声消除和其他音频质量增强算法。此参考设计还采用了 TI 的智能放大器技术，从而可通过微型扬声器实现高质量、高 SPL 的音频输出。
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJM) | 3 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
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- 引脚镀层/焊球材料
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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。