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VDS (V) -12 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 116 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 165 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 250 Id peak (Max) (A) -11.4 Id max cont (A) -1.8 QG typ (nC) 0.95 QGD typ (nC) 0.068 QGS typ (nC) 0.3 VGSTH typ (V) -0.65 Package (mm) LGA 0.7x0.6mm
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 116 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 165 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 250 Id peak (Max) (A) -11.4 Id max cont (A) -1.8 QG typ (nC) 0.95 QGD typ (nC) 0.068 QGS typ (nC) 0.3 VGSTH typ (V) -0.65 Package (mm) LGA 0.7x0.6mm
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD23280F3 -12V P 沟道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 13 Apr 2022
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设计和开发

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评估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

TI.com 無法提供
仿真模型

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A) CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

参考设计

TIDA-01228 — 具有电感式传感的低功耗水流测量参考设计

This reference design demonstrates a highly-integrated solution for this application using an inductive sensing technique enabled by the CC1350 SimpleLink™ Wireless MCU and FemtoFET™ MOSFET. This reference design also provides the platform for integration of wireless communications (...)
参考设计

TIDA-01589 — 具有降噪和回声消除功能的高保真、近场双向音频参考设计

人机交互需要声学接口以提供全双工免提通信。在免提模式中,来自扬声器的远端或近端音频信号的一部分耦合至麦克风。此外,在噪声环境中,除了有用的近端音频信号之外,麦克风还会捕获环境噪声。捕获的多麦克风音频信号被声学背景噪声以及回声信号破坏,回声信号会显著降低所需信号的可懂度,并限制后续音频处理系统的性能。此参考设计所展示的双麦克风用于通过立体声 ADC 实现音频输入,通过低功耗 DSP 执行降噪、声学回声消除和其他音频质量增强算法。此参考设计还采用了 TI 的智能放大器技术,从而可通过微型扬声器实现高质量、高 SPL 的音频输出。
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订购和质量

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  • 器件标识
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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