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CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 39 QGD typ (nC) 9.3 QGS typ (nC) 14.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 257 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 39 QGD typ (nC) 9.3 QGS typ (nC) 14.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 257 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 同步整流
  • 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用

  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 同步整流
  • 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用

这款 30V,0.95mΩ,5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.2°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

这款 30V,0.95mΩ,5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.2°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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技术文档

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD17559Q5 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 10月 13日
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技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD17559Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM056B.ZIP (6 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP20771 — 120V 交流输入、PSR 5V 25W 反激式转换器参考设计

此参考设计是一个 120Vac 到 5V 的初级侧调节反激式转换器,在次级侧上进行同步整流。此参考设计在 67mW 时具有极低的待机功率。UCC28704 具有集成 CC-CV 调节功能,无需使用光耦合器。PMP20771 利用同步整流在设计的负载范围内提高系统效率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11180 — 具有 4 路 POL 输出且轻载效率较高的 120V 交流输入、25W/5V 直流输出参考设计

此项 25W 的设计在反激式拓扑中使用 UCC28740 来最大限度降低空载待机功耗,并使用 UCC24636 同步整流控制器来最大限度减少功率 MOSFET 体二极管传导时间。此设计还使用来自 5V 电源轨的负载点转换器实现节能的 Ecomode。此设计中的所有器件彼此协作以提高轻载效率,从而有助满足机构认证。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频