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产品详细信息

参数

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 19.4 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 26.5 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 53 Id peak (Max) (A) -54 Id max cont (A) -3 QG typ (nC) 4.9 QGD typ (nC) 0.6 QGS typ (nC) 1.3 VGSTH typ (V) -0.8 Package (mm) WLP 1.0x1.5 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YZC) 6 3 mm² 1.006 x 1.5 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 小尺寸
  • 低厚度,0.62mm 高
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装

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描述

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD23203W -8V P 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2017年 9月 29日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM143B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YZC) 6 视图选项

订购与质量

支持与培训

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