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CSD85302L

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采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YME) 4 1.7161 mm² 1.31 x 1.31
  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

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这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

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仿真模型

CSD85302L TINA-TI Spice Model

SLPM273.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

CSD85302L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM271A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YME) 4 Ultra Librarian
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包含信息：
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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