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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 200 QG typ (nC) 21 QGD typ (nC) 5.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 261 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
  • 极低接通电阻
  • 低热阻性
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
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描述

此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。

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CSD17573Q5B 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM348.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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