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CSD17483F4

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采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 230 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 260 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 310 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.01 QGD (typ) (nC) 0.13 QGS (typ) (nC) 0.22 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015年 5月 12日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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