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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 260 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 230 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 5 QG typ (nC) 1.01 QGD typ (nC) 0.13 Package (mm) LGA 1.0 x 0.6mm VGS (V) 12 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.35mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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描述

这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化,能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。








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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
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用户指南 Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) 2016年 7月 7日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD17483F4 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(YJC) 3 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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