30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6 mm, 260 mOhm, gate ESD protection
产品详细信息
参数
特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄
- 高度为 0.35mm
- 集成 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
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描述
这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化，能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD17483F4 30V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. E) | 下载英文版本 (Rev.E) | 2018年 4月 20日 |
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| 技术文章 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
| 应用手册 | 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 | 下载英文版本 | 2015年 5月 12日 |
设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
MOSFET-LOSS-CALC — MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
参考设计
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (YJC) | 3 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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