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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 260 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 230 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 5 QG typ (nC) 1.01 QGD typ (nC) 0.13 Package (mm) LGA 1.0 x 0.6mm VGS (V) 12 VGSTH typ (V) 0.85 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.35mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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描述

这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化,能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。








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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD17483F4 30V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. E) 下载英文版本 (Rev.E) 2018年 4月 20日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
用户指南 Design Summary FemtoFET SMT 2016年 7月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD17483F4 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(YJC) 3 了解详情

订购与质量

支持与培训

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