30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD17483F4
产品详细信息
参数
特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄
- 高度为 0.35mm
- 集成 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
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描述
这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化，能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
技术文档
= 特色
| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 发布 | |
|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD17483F4 30V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. E) | 下载英文版本 (Rev.E) | 2018年 4月 20日 |
| 技术文章 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 7日 | ||
| 用户指南 | Design Summary FemtoFET SMT | 2016年 7月 7日 | ||
| 技术文章 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||
| 技术文章 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
| 应用手册 | 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 | 下载英文版本 | 2015年 5月 12日 |
设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件，按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案，从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
- 针对任意一组输入参数，改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
- 从 TI 控制器预设列表中进行选择，或输入您的自定义 IC
- 按照有效功率损耗对解决方案排序，并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
- 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗，高精度二阶寄生损耗也计算在内
- 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
MOSFET-LOSS-CALC — MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SLPC015.ZIP (66 KB)
参考设计
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (YJC) | 3 | 了解详情 |