产品详细信息

VDS (V) 60 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 62 QG typ (nC) 14 QGD typ (nC) 2.3 Package (mm) SO-8 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No
VDS (V) 60 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 62 QG typ (nC) 14 QGD typ (nC) 2.3 Package (mm) SO-8 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD88539ND 正在供货 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Higher resistance

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 7
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD88537ND 双路 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 10 Sep 2014
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 May 2022
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 08 Feb 2019
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 19 Apr 2016
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 03 Feb 2016
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 08 Oct 2015
技术文章 Spin It! - Get Your Own Stepper Motor BoosterPack! BOOST-DRV8711 03 Jul 2014

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

BOOST-DRV8711 — 支持 DRV8711 和 CSD88537ND 的步进电机 BoosterPack

The BOOST-DRV8711 is 8-52V, 4.5A, bipolar stepper motor drive stage based on the DRV8711 Stepper Motor Pre-driver and CSD88537ND Dual N-Channel NexFETTM Power MOSFET. The module contains everything needed to drive many different kinds of bipolar stepper motors and can also be repurposed as a dual (...)

TI.com 無法提供
评估板

DRV8307EVM — DRV8307 evaluation module for three-phase brushless DC motor pre-driver

三相无刷电机前置驱动器 DRV8307 可驱动无刷直流和无刷交流 (BLAC) 电机 - 通常称为永磁同步 (PMSM) 电机。这款简单的前置驱动器面向 12V 和 24V 电机,拥有一个 PWM 电流控制接口、三个霍尔传感器输入以及锁定转子检测和重启功能。

DRV8307EVM(评估模块)作为一款用户友好型评估套件,可用于演示 TI 无刷电机驱动器 DRV8307。用户可使用板载电位器来控制 DRV8307,或可为专门的测试引脚提供 PWM。此 EVM 是一种经济高效的平台,可加速开发过程、加快上市时间。应用范围包括泵和工业设备、点钞机和打印机。

TI.com 無法提供
评估板

DRV8308EVM — DRV8308 evaluation module for three-phase brushless DC motor pre-drivers

三相无刷电机前置驱动器DRV8308 可驱动无刷直流和无刷交流 (BLAC) 电机 - 通常称为永磁同步 (PSMS) 电机。这种可配置的前置驱动器瞄准的是 12V 和 24V 电机,拥有一个具备先进通信计时与控制功能的集成数字速度环路。

DRV8308EVM(评估模块)作为一款用户友好型评估套件,可用于演示 TI 无刷电机驱动器 DRV8308。用户可使用板载 MSP430 微控制器来控制 DRV8308。此 EVM 是一种高性能、低功耗且经济高效的平台,可加速开发过程、加快上市时间。应用范围包括泵和工业设备、点钞机和打印机。

仿真模型

CSD88537ND Unencrypted PSpice Model (Rev. B) CSD88537ND Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

TIDA-01606 — 10kW 双向三相三级(T 型)逆变器和 PFC 参考设计

这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸,并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET,可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗,从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制,可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
参考设计

TIDA-00195 — 用于三相逆变器系统的隔离式 IGBT 栅极驱动器评估平台参考设计

TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S(适用于各种应用中的电机控制)。此设计可对三相逆变器(其中整合了额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块)中的 ISO5852S 进行性能评估。

评估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 检测的短路保护、软关断、在不同逆变器 dv/dt 下的有源米勒钳位的有效性以及 IGBT 栅极驱动器的源自可调速电气电力驱动系统 (IEC61800-3) 的系统级 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad (...)

参考设计

TIDA-00740 — 自动扭矩实施方案参考设计

TIDA-00740 是基于 DRV8711 步进电机前置驱动器和 CSD88537ND 双 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-52V、4.5A 双极步进电机驱动级。MSP430G2553 中的固件用于根据由步进电机生成的反电动势自动调节步进电机电流。
参考设计

PMP10668 — 采用 LM3150 的 13.2V 至 36V 宽输入、10V/4A 输出同步降压参考设计

PMP10668 is synchronous buck solution which accepts an input voltage of 13.2V to 36Vin and provides a 10V output capable of supplying continuous 4A and transient 10A of current to the load. With COT control, no loop compensation circuit needed and could get good load transient performance. (...)
参考设计

TIDA-00261 — 具有 256 微步进功能的双极步进电机系统参考设计

TIDA-00261-BOOST-DRV8711 是基于 DRV8711 步进电机前置驱动器和 CSD88537ND 双 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-52V、4.5A 双极步进驱动级。此模块包含驱动很多不同类型的双极步进电机所需的一切,并且还可改作双路刷式直流电机驱动器。BOOST-DRV8711 非常适合想要详细了解步进电机控制技术和驱动级设计的人士。此套件旨在根据 LaunchPad Pinout 标准兼容所有 TI LaunchPad,同时为采用 MSP430G2553 的 MSP-EXP430G2 LaunchPad 提供主要软件/固件支持。
参考设计

TIDA-00197 — 具有速度控制功能的无刷直流电机

此高级电机实现了闭环速度控制,以便在负载扭矩描述中维护精确的 RPM。DRV5013 霍尔效应传感器可感应到磁性转子位置,DRV8308 控制器决定何时驱动为线圈通电的 CSD88537ND FET。不使用微控制器或固件,正弦电流可最大限度降低噪声和扭矩纹波,从而最大限度地提高电机性能。
参考设计

TIDA-00196 — 12V 与 24V 无刷直流外转式电机参考设计

此 6cm 电机已封装就绪;连接电源即可运转!简单可靠的设计易于修改,以支持速度和电流系统需求。DRV5013 霍尔效应传感器可感应到磁性转子位置,DRV8307 控制器决定何时驱动为线圈通电的 CSD88537ND FET。
封装 引脚数 下载
SOIC (D) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频