12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 20 mOhm
产品详细信息
参数
封装|引脚|尺寸
特性
- 超低接通电阻
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
描述
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 75.7°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 1ms，占空比 ≤ 2% 。技术文档
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查看所有 4 | 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |
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设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM093A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
SLPM104.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
MOSFET-LOSS-CALC — MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZC) | 6 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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