返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 20 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 31 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.4 Package (mm) WLP 1.0x1.5 VGS (V) 8 VGSTH typ (V) 0.85 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YZC) 6 3 mm² 1.006 x 1.5 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低接通电阻
  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 小封装尺寸
  • 低高度(高度为 0.62mm)
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。

顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA = 75.7°C/W (典型值)。脉宽 ≤ 1ms,占空比 ≤ 2% 。
open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载

技术文档

= TI 精选相关文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 4
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 N 通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET), 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2012年 9月 5日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM093A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM104.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YZC) 6 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频