产品详情

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 14 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 147 QG typ (nC) 14 QGD typ (nC) 2.3 QGS typ (nC) 5.2 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 56 ID - package limited (A) 50 Logic level No
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 14 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 147 QG typ (nC) 14 QGD typ (nC) 2.3 QGS typ (nC) 5.2 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 56 ID - package limited (A) 50 Logic level No
TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制

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这款 11 mΩ、60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 11 mΩ、60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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技术文档

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD18537NKCS 60V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2015年 7月 22日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD18537NKCS TINA-TI Spice Model

SLPM225.ZIP (11 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD18537NKCS Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM080A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

TIDA-00498 — 面向断路器应用的信号处理子系统和基于电流输入的自供电 (ACB/MCCB)

TIDA-00498 参考设计针对断路器中用到的电子跳闸单元 (ETU) 使用信号处理前端和自供电模块。此设计使用基于 FRAM 的微控制器处理来自信号调节放大器的电流输入,从而获得三相中性接地电流。两个增益用于扩大相电流测量范围。

此参考设计还可使用整流电流输入来进行自供电。TIDA-00498 旨在实现宽广电流和温度范围内的快速重复跳闸(30mS 内)。

设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00130 — 用于塑壳断路器 (MCCB) 的宽范围过流检测模拟前端设计

此参考设计旨在用于塑壳断路器 (MCCB) 电子跳闸单元。这种基于可编程增益放大器的设计用于对过流接地故障继电器进行电流监控。通过采用零漂移可编程放大器,此设计提供 ±10 % 的拾取 (A) 准确度和 0 至 -20% 的时间延迟 (s) 准确度。另外,此解决方案的设计宗旨是应对严苛的环境条件,拥有 -10 至 70°C 的环境不敏感性以及较高的电磁抗扰性等特性。最后,此设计的模拟前端无缝连接至 TI MSP430 MCU,可加快评估和缩短上市时间。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00191 — 具有增强的电流范围的电机电子过载继电器模拟前端

此参考设计是电子过载继电器的模拟前端 (AFE),用于监视和保护电机不受过流或欠流事件的损害。如果开发人员需要为工业应用中的灵敏交流电机设计过载继电器,那么此工具便是其理想选择。这种基于可编程增益放大器 (PGA) 的模拟前端旨在作为简单的评估平台,可实现准确的、行业领先的 10:1 全载电流 (FLA) 范围,并且可在 -10 至 +70°C 温度范围内重复。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
TO-220 (KCS) 3 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频