30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm
产品详细信息
参数
封装|引脚|尺寸
特性
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultra Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point-of-Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
描述
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
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技术文档
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设计与开发
有关其他条款或所需资源，请点击下面的任何链接来查看详情页面。软件开发
SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLLM119A.ZIP (14 KB) - PSpice Model
SLPM210.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
MOSFET-LOSS-CALC — MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
SPLR002.ZIP (734 KB)
参考设计
PMP8921 — This synchronous boost converter efficiently operates from 3.0V - 8.6V (one or two Li-Ion cells) and regulates a 12V@4A output. Efficiency of greater than 97% is achieved when running from two cells.
设计文件
-
download PMP8921 BOM.pdf (18KB) -
download PMP8913 Assembly drawing .pdf (82KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DQH) | 8 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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