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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 16.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 68 QG typ (nC) 6 QGD typ (nC) 1.3 QGS typ (nC) 1.5 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 25 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 16.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 68 QG typ (nC) 6 QGD typ (nC) 1.3 QGS typ (nC) 1.5 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 25 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

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仿真模型

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

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