产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 114 QG typ (nC) 5.8 QGD typ (nC) 1.5 QGS typ (nC) 2.5 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.7 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 79 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 114 QG typ (nC) 5.8 QGD typ (nC) 1.5 QGS typ (nC) 2.5 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 1.7 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 79 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计和开发

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