CSD16406Q3

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17577Q3A 正在供货 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.4 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 5.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 114 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 1.5 QGS (typ) (nC) 2.5 VGS (V) 16 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 79 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.4 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 5.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 114 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 1.5 QGS (typ) (nC) 2.5 VGS (V) 16 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 79 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 14
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD16406Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2015年 12月 17日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 13日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 3月 15日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日
技术文章 Power Tips - DDR memory is everywhere! 2014年 3月 1日
更多文献资料 NexFET 功率 MOSFET 2009年 7月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD16406Q3 TINA-TI Spice Model

SLLM068.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD16406Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM102B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP5835 — 用于笔记本电脑的同步降压 (1.15V@14A)

适用于工业 PC 的 12VIN Intel Atom E6xx (Tunnel Creek) CPU 内核电源设计;该设计可提供较小的 CPU 内核稳压器电源区域和出众的热性能,这正是工业自动化和过程控制中使用 COM Express 模块和单板计算机的关键设计要求之一。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP5114 — Intel IMVP6+ Atom CPU 内核电源设计

适用于嵌入式 PC 的高功率密度 Intel IMVP6+ Atom CPU 核心电源;这种设计通过使用分立的 TI NexFET 实现高功率密度和灵活配置,同时满足所有 Intel 规范
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQG) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频