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CSD23202W10

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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² 1.25 x 1.25
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型，0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型，0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
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应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
应用手册 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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仿真模型

CSD23202W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM138B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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