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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 151 QG typ (nC) 17.5 QGD typ (nC) 4.7 QGS typ (nC) 5.8 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 151 QG typ (nC) 17.5 QGD typ (nC) 4.7 QGS typ (nC) 5.8 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。

顶视图 RθJA= 40.5°C/W,这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2),
2 盎司(厚度 0.071mm)的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。

顶视图 RθJA= 40.5°C/W,这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2),
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