产品详细信息

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 14.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 219 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.9 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 53 ID - package limited (A) 50 Logic level No
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 14.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 219 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.9 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 53 ID - package limited (A) 50 Logic level No
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

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* 数据表 CSD19537Q3 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 05 Oct 2017
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设计和开发

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仿真模型

CSD19537Q3 Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B) CSD19537Q3 Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

仿真模型

CSD19537Q3 TINA-TI Spice Model CSD19537Q3 TINA-TI Spice Model

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP22509 — 18- to 36-VDC input, 25-W DC/DC active clamp forward reference design

此有源钳位正向参考设计可将 18V 至 36V 输入转换为 5V、25W 输出。此参考设计使用 UCC2897A 高级电流模式有源钳位 PWM 控制器和 P 沟道辅助 FET,简化了有源钳位的实施。采用 24V 输入时,此设计的峰值效率达到 91.7%。有源钳位拓扑可实现自驱动同步整流器 (SR) FET,降低成本和次级侧的复杂程度。此设计还使用了目录中的变压器和电感器。
参考设计

TIDA-00377 — 采用 MOSFET 的自供电交流固态继电器参考设计

采用 MOSFET 参考设计的自供电交流固态继电器是单个继电器的替代方法,可实现高效的电源管理,适用于在恒温器应用中以低功耗方式替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计通过 24V 交流电力线实现自供电,可省去恒温器电池的其他功耗。MOSFET 可快速切换,从而在不影响负载的情况下实现自供电。
参考设计

PMP40355 — 适用于 PoE PD 的 3 类非隔离式浮动降压转换器参考设计

PMP40355 参考设计旨在使用 IEEE 802.3at PoE 接口和直流/直流控制器 TPS23753A 评估非隔离式 13W 降压 PD 转换器系统。该转换器能够以较低的 BOM 成本满足最高 13W 的 IEEE 802.3at 功率要求。它展现出了良好的效率、负载调节能力和相关的电气性能。
参考设计

PMP20178 — 适用于电信应用的 57W 输出同步降压转换器参考设计

PMP20178 是一款电压模式同步降压转换器参考设计,在输入电压为 15V 至 60V 且电流为 11A 时的额定输出值为 5.2V。此设计使用 LM5145 同步降压控制器,开关频率为 200kHz。特性包括电源正常、同步和修整功能。
参考设计

PMP20588 — 全自主式单端口 2 类 (30W) PoE PSE 参考设计

PMP20588 参考设计利用 TPS23861 PSE 控制器来实施单端口 2 类 PoE PSE。其中包含的隔离型反激式转换器使用 LM5022 电流模式 PWM 控制器,可接受 12V 直流/24V 交流输入,并为 PSE 提供 55V 直流/600mA 输出源。它非常适合所有 2 类 (30W) PoE PSE 应用。
参考设计

TIDA-00751 — 具有电流隔离的固态继电器 24V 交流开关参考设计

此固态继电器 24V 交流开关参考设计是一种单继电器替代设计,可支持对标准机电继电器的低功耗替代品进行高效的电源管理。关闭模式向系统控制器提供能量,而开启模式可以快速切换,足以确保在机电继电器无法运行的情况下进行备用电池充电。内部变压器支持隔离,而电压倍增器确保有足够电流来控制系统其余部分中的其他继电器。
参考设计

PMP30046 — 企业 SSD 备用电源参考设计

PMP30046 参考设计展示了一款适用于企业级 SSD 备用电源的系统解决方案。热插拔控制器的输入电压可以是 5V 或 12V。降压级将此输入电压转换为 3.3V,最大负载电流为 2.5A。此 3.3V 电压被加压至 28V,以对备用电容器充电。如果发生停电事件,另一个降压级将使用备用电容器中存储的能量向输入电压轨供应 5V 电压,最大负载电流为 2.5A。
封装 引脚数 下载
(DQG) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频