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CSD18514Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 275 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.4 QGS typ (nC) 3.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 275 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.4 QGS typ (nC) 3.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

这款 5.3mΩ,SON 5 × 6mm,40V NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 5.3mΩ,SON 5 × 6mm,40V NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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技术文档

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD18504Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.E) PDF | HTML 2015年 4月 23日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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评估板

BQ40Z80EVM-020 — BQ40Z80 2 至 7 节池电量监测计评估模块

bq40z80 EVM 包含一个 bq40z80、两个 bq771807 次级保护器以及指向基于 Microsoft Windows 的 PC 软件链接,该软件可用于监控和预测容量,执行电池平衡,监控关键参数,防止 2、3、4、5、6 或 7 节串联锂离子或锂聚合物电池包的电池过度充电、过度放电、短路和过流。该电路具有至 USB 的板载 EV2400 接口,因此软件可读取 bqz40z80 数据寄存器,对不同电池包配置的芯片组进行编程,记录循环数据以便进一步评估,并评估解决方案在不同充电和放电条件下的整体功能。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

EM1402EVM — 16 通道主动电芯平衡评估模块

16 节 EV/HEV 高电流有源解决方案使用最新的汽车电池管理监控器和保护器 bq76PL455A-Q1。它将 bq76PL455A-Q1 的高度集成和高精度与双向直流-直流电池平衡器结合起来,从而为大容量电池组提供了高性能电池管理解决方案。这就使任意 16 节输入均可在高达 5A 的电流下根据所需充电或放电,而且还可将模块堆叠至 1300V。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD18504Q5A PSpice Model (Rev. B)

SLPM042B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
仿真模型

CSD18504Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM088.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

许多 TI 参考设计都包括 CSD18504Q5A

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

封装 引脚数 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频