返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.6 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 275 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID, package limited (A) 50 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

这款 5.3mΩ,SON 5 × 6mm,40V NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载
您可能感兴趣的类似产品
open-in-new 产品比较
功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
CSD18514Q5A 正在供货 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON5x6、4.9mΩ This product has lower resistance and a lower price.

技术文档

= 特色
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 10
类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18504Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. E) 下载英文版本 (Rev.E) 2015年 4月 23日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 2018年 6月 25日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 2015 年第 3 季度模拟应用期刊 下载英文版本 2015年 9月 8日
应用手册 在 DC/DC 转换器中采用陶瓷或电解输出电容器 - 为什么不能兼用呢? 下载英文版本 2015年 9月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$149.00
说明
The bq40z80 EVM includes one bq40z80, two bq771807 secondary protectors, and a link to Microsoft Windows based PC software, which can be used to monitor and predict capacity, perform cell balancing, monitor critical parameters, protect the cells from overcharge, over-discharge, short circuit, and (...)
特性
  • 2s-7s battery gauging with protection
  • Supports internal and external cell balancing
  • Multiple GPIOs and LED support
  • Protection features include:
    • Oover and under voltage
    • Short circuit in charge and discharge
    • Charge and pre-charge timeout
    • Over and under temperaure
评估板 下载
document-generic 用户指南
$2,499.00
说明
16 节 EV/HEV 高电流有源解决方案使用最新的汽车电池管理监控器和保护器 bq76PL455A-Q1。它将 bq76PL455A-Q1 的高度集成和高精度与双向直流-直流电池平衡器结合起来,从而为大容量电池组提供了高性能电池管理解决方案。这就使任意 16 节输入均可在高达 5A 的电流下根据所需充电或放电,而且还可将模块堆叠至 1300V。
特性
  • 实现对 16 节锂离子电池的高精度监控
  • 集成保护器
  • 3 - 5A 有源平衡
  • 可达外部 12V 电源/电压的完全隔离式转移
  • 1Mb/s 可堆叠隔离式差动 UART

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM042A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM088.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD18504Q5A 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持